随着Si1-xGex材料在高频领域上的广泛应用以及SiGe IC芯片在集成电路领域的重要性不断提升，对于Si1-xGex材料的研究引起了许多研究机构的兴趣。而生长质量良好的Si1-xGex薄膜需要对其复杂的生长过程及其生长动力学进行研究。基于Ge组分影响Si1-xGex生长速率的实验结果，本文提出了分立流密度的机理和模型；基于Si基半导体表面的二聚体理论，本文首次提出了CVD(化学气相淀积)外延生长Si1-xGex材料的分速度机制和模型。与以前Si1-xGex材料只考虑表面反应的影响机制的生长动力学模型，并且认为Si、Ge材料是独立生长的观点不同，本文还考虑了气相输运的控制机制和Si、Ge材料相互独立相互影响的生长过程，给出了Si1-xGex材料的分速度生长动力学模型。将模型计算值与实验值进行了对比，发现在不同的温度下，两者符合得非常好。该模型考虑了多方面的生长影响因子，符合实际的生长过程，物理意义鲜明，结构清晰，适用于不同气源体系和不同温度下的Si基应变材料CVD生长动力学的描述。