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半导体氧化物由于其对易燃性气体和毒气的高敏感性,被广泛地用作气体敏感材料。N型半导体材料SnO2,无论是厚膜传感器还是薄膜传感器,是其中最广泛研究的材料。但是SnO2基气体传感器具有热稳定性差、选择性差等缺点。提高SnO2基气体传感器的灵敏度和选择性是满足气体传感器日益智能化的一项重要课题。降低SnO2颗粒大小和对SnO2进行表面改性也是改善和提高SnO2的灵敏度、选择性和热稳定性的重要手段。利用化学沉淀法和硝酸氧化法制备纳米SnO2粉体。SEM图片表明硝酸氧化法在600℃煅烧制备的SnO2粉体的平均粒径为19nnn,且形状为分布均匀的球状颗粒。FT-IR结果表明SnO2粉体表明存在羟基。通过低温蒸镀的方法对SnO2基厚膜气敏元件表面获得一层有机硅烷,经过高温煅烧,最终在SnO2基气敏元件表面获得一层SiO2。低温蒸镀后SnO2基气敏元件在260℃对1000ppm H2的灵敏度为53.9,对100ppm C2H5OH的灵敏度为4.5。SiO2层起到分子筛的作用,可以控制大分子气体的扩散速度,提高Sn02气敏元件对H2的灵敏度和选择性。提出了低温蒸镀改性气敏元件的工作原理。利用FT-IR, XRD,SEM等表征手段对改性前后的元件进行了表征。利用有机硅烷的有机基团与SnO2颗粒表面的羟基发生脱醇-缩合反应,使Si以Sn-O-Si键的形式化学键合在SnO2表面,从而在SnO2颗粒表面获得一层SiO2。通过FT-IR, XRD,SEM等表征手段对改性的SnO2进行了表征。改性SnO2在260℃对1000ppm H2的灵敏度为23.1,对100ppm C2H5OH的灵敏度为2。SEM图表明SnO2纳米晶体的热稳定性得到有效的改善。最后考察了改性SnO2制备Pd-SnO2厚膜气体传感器对CO的气敏性能。观察到其对CO的敏感性得到增强,在260℃对100ppmCO的灵敏度为350,能检测到5ppm CO。与此同时,改性SnO2制备Pd-SnO2厚膜气体传感器具有好的选择性和响应性能。