【摘 要】
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基准源主要分为电压基准和电流基准两种类型,它指在模拟集成电路或混合信号电路中产生与工艺生产、外部环境包括电源和温度等都无关的,但具有高精度、高稳定度的参考电压或参
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基准源主要分为电压基准和电流基准两种类型,它指在模拟集成电路或混合信号电路中产生与工艺生产、外部环境包括电源和温度等都无关的,但具有高精度、高稳定度的参考电压或参考电流的基准。本文设计了一款低温漂的曲率补偿带隙基准电压源,它利用被偏置在亚阈值区的MOS管漏极电流与栅源电压的指数关系来补偿VBE温度系数的非线性部分,实现了基准电压源的曲率补偿,温度特性得到很大提高。运用电流求和模式,使得电路通过调节输出电阻阻值来在一定范围内对基准电压的输出进行调节。电路同时采用共源共栅结构来提高电路的电源抑制性。本文所设计的基准电压源基于CSMC0.35μm的N阱CMOS工艺,采用Hspice仿真工具对其仿真,温度范围为-55℃～125℃时,一阶曲率补偿的温度系数为4.24ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有0.6ppm/℃的低温度系数。在全工艺角,带隙电压在1.6146V～1.6149V之间变化,平均温度系数仅为1.2ppm/℃,实测约为18ppm/℃,带隙的芯片面积为0.69mm×0.96mm,电路功耗电流为68μ A。本文所设计的电路在CSMC进行流片,该电路具有较高的抑制温漂和电源电压的能力,测试结果满足设计要求,并已成功的应用在DAC电路中。
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