Ⅱ-Ⅵ族半导体表面界面电子态的理论研究

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【摘要】

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该文作者给出Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物CdTe,ZnS 和ZnTe(110) 表面以及Sb/GaAs(110)界面的电子结构的理论研究.采用紧束缚方法中Vogl等人的sps模型描述半导体的体电子结构,使用Pol

【作者】

：

贾瑜

【机构】

：

郑州大学

【出处】

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郑州大学

【发表日期】

：

1997年期

【关键词】

：

Ⅱ-Ⅵ族半导体表面界面电子态

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该文作者给出Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物CdTe,ZnS 和ZnTe(110) 表面以及Sb/GaAs(110)界面的电子结构的理论研究.采用紧束缚方法中Vogl等人的sp<3>s<*>模型描述半导体的体电子结构,使用Pollmann等人的形式散射理论方法.作者给出了总的和布里渊区内特殊点的波矢分辨的态密度和表面投影带结构.在计算中,表面原子的几何位置作者采用Duke使用低能电子衍射实验测量结果.该文的第一章是绪论,主要介绍一下表面电子结构的研究方法,接下来就对该文打算研究的内容目前的进展情况作了简要概述.

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