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近年来，ZnO薄膜材料在光电器件领域，获得了广泛的应用。ZnO材料作为一种禁带宽度达到3.3eV的半导体材料，具有晶格结构、光学和电学方面的诸多优点。并且相对于ITO薄膜，ZnO:Al(简称AZO)薄膜的电阻率更低、可见光透过率更高，并且由于原材料储量丰富，价格低廉，制备过程不会产生污染，因此有望在透明导电领域，成为ITO薄膜的替代者。磁控溅射技术，作为众多AZO薄膜制备技术中的一种，具有相对较高的均匀性和沉积速率，被认为是制备AZO薄膜较为理想的制备技术。 本文前两章，首先对ZnO和透明导电（TCO）薄膜的性质、结构、及发展现状进行了概括和总结，再对单层AZO薄膜和多层AZO/Cu/AZO薄膜的性能和应用领域进行了介绍，之后又对AZO薄膜的制备方法和表征方式进行了综合描述。 在此基础上，本实验采用磁控溅射技术，以纯度3N、2wt％Al2O3掺杂的ZnO陶瓷靶作为溅射靶材，在普通载玻片衬底上制备了单层和多层 AZO薄膜样品。之后对所得的样品，采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法进行了测试分析。着重研究了不同制备参数（包括衬底温度、溅射压强、溅射功率等），对AZO薄膜形貌结构和光电性能的影响。最终得到了以下的结论： 通过分析并汇总实验数据，实验验证了：AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、及光电性能，受到衬底温度、溅射压强、溅射功率等制备参数的显著影响。实验制备得到的所有AZO薄膜样品，均为多晶的六角纤锌矿结构，呈现c轴（002）晶面择优取向，并且在可见光区范围内的光透过率较高。对于单层AZO薄膜来说，当溅射偏压为60V，衬底温度达到200℃时薄膜性能最佳，并且后续退火处理可以显著降低其电阻率。以此为基础，对于多层AZO/Cu/AZO薄膜，当溅射功率达到120W，溅射压强为0.5Pa时薄膜性能达到最佳。 最终得出了，在低温区域内，磁控溅射技术制备AZO薄膜的优化工艺参数：溅射时间30min、负偏压为60V、衬底温度200℃时、300℃氮气退火后，制得的单层AZO薄膜的可见光透过率达到81％，最低电阻率为9.2×10-4Ω·cm；以此为基础，当溅射压强为0.5Pa，溅射功率为120W时，多层AZO/Cu/AZO薄膜的可见光透过率为75％，最低电阻率为7.2×10-4Ω·cm。