【摘 要】
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半导体纳米线由于其独特的电学和光学性质越来越受到人们的关注。人们先后发现了多孔硅和纳米晶硅显著的发光特性,使纳米结构的的硅衬底应用于高速场效应晶体管、生物和化学传感器、低能量消耗的发光设备等光电子装置上。这项应用最大的特点就是用发展成熟低成本的硅基技术将光学和微电子学在一个硅衬底上实现结合。本论文的研究主要包括两方面内容,首先我们利用磁控溅射技术和热退火技术在Si衬底上制备Au纳米点阵;然后制备和
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半导体纳米线由于其独特的电学和光学性质越来越受到人们的关注。人们先后发现了多孔硅和纳米晶硅显著的发光特性,使纳米结构的的硅衬底应用于高速场效应晶体管、生物和化学传感器、低能量消耗的发光设备等光电子装置上。这项应用最大的特点就是用发展成熟低成本的硅基技术将光学和微电子学在一个硅衬底上实现结合。本论文的研究主要包括两方面内容,首先我们利用磁控溅射技术和热退火技术在Si衬底上制备Au纳米点阵;然后制备和ZnO多种纳米结构,并以多种电子显微技术为主,结合电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TE
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