取向硅钢具有高磁感和低铁损的特性,主要用于变压器的铁芯,是电力、电子和军工事业不可缺少的软磁材料。在取向硅钢的制造和生产中,促进有利于磁性的η晶粒发生稳定且取向准确的二次再结晶,是发展高品质取向硅钢技术的核心问题。传统取向硅钢制造流程中,需要借助抑制剂发生二次再结晶,之后进行高温净化退火脱除抑制剂,因而其制造工艺复杂,且成本高。本文在无抑制剂情况下,采用二次轧制法制备具有强Goss织构的2.1%Si硅钢薄板。采用X射线衍射技术(XRD)和电子背散射衍射技术(EBSD)相结合的分析测试手段,研究了中间退火晶粒尺寸和轧制温度对2.1%Si硅钢薄板形变、初次再结晶及二次再结晶组织和织构影响,得到以下结论:(1)采用二次轧制法,通过控制中间退火晶粒尺寸以及轧制温度,在无抑制剂条件下,可以实现Goss取向晶粒的二次再结晶。(2)中间退火晶粒尺寸对二次再结晶影响明显:随中间退火晶粒尺寸增加,二次冷轧态剪切带数量增多,γ形变织构增强,初次再结晶晶粒尺寸增大,Goss织构增强。中间退火晶粒尺寸为125μm时,Goss织构最强。高温退火过程中,中间退火晶粒尺寸为25μm时,可发生明显的二次再结晶,且形成强Goss织构。(3)轧制温度对初次和二次再结晶影响明显:随轧制温度升高,Goss初次再结晶织构逐渐减弱,γ初次再结晶织构增强,Goss晶粒的二次再结晶更易发生。初次再结晶态中Goss晶粒周围分布较多的γ取向晶粒,有利于促进Goss晶粒二次再结晶的发生。