基于新的旋转子模型,导出了钨同位素的同位旋相关色散耦合道光学模型势,其适用于100 keV～200 MeV能量范围内。182,183,184,186W、178Hf 和 181Ta核的中子入射总截面计算结果与实验数据在整个能量范围内有很好的一致性。中子和质子诱发核反应的弹性和非弹性散射角分布以及分析本领也与实验数据吻合良好。同时,通过对截面的计算验证了核形变过程中体积守恒对计算的影响。通过完善对核体积守恒的考虑,去除了区域势参数中唯像半径对核质量的依赖关系。为了实现对束缚态和散射态的统一描述,采用壳模型检验了所使用的208Pb的光学势实部对束缚态的计算。同时讨论了单个色散修正项对单粒子束缚态计算的影响。首先初步地得到一组既能描述208Pb的散射数据又能描述其束缚态的光学势参数。再重新调整这组光学势参数,单粒子态的计算得到了明显的改进。均方根半径和单粒子密度的计算与实测数据吻合较好。为进一步提高对散射态和束缚态的描述,考虑了实部势的非定域性和在费米能附近虚部势的壳间隙,采用了更物理的带非局域修正的Hartree-Fock势和虚部势形式。通过对单粒子态和散射态数据的拟合,得到了Pb-Bi同位素修正后的色散光学势。对208Pb的单粒子束缚能级和散射中子总截面的描述优于之前的工作。新的光学势还能很好地描述近幻数核206,207Pb和209Bi的核子散射数据。