【摘 要】
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信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm半导体激光器材料的发展逐渐成为目前研究的
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信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm半导体激光器材料的发展逐渐成为目前研究的前沿和热点.其中以GaAs为基的GaInNAs及其低维结构材料、InAs量子点等红外发光材料的物理性质的研究对促进光通讯的快速发展起着十分重要的作用.该论文深入地分析了这类材料结构性质和光学特性,讨论了相关的局域态及其缺陷态、并研究了退火对材料光学性质的影响及其成因.主要研究内容与成果如下:(1)利用光致发光谱研究了GaInNAs量子阱中存在的反常的S—型温度依赖关系.(2)首次采用一种特别的结构,即GaInAs/GaNAs量子阱结构,来研究退火对含氮材料体系发光性质的影响及其原因.(3)为了进一步拓展GaAs基材料的发光波长,提出了改变低维材料结构来拓展波长到1.55μm的方案.研究了具有GaNAs应变补偿中间层的GaInNAs/GaAs量子阱的光学性质.(4)研究了与GaAs晶格匹配的GaAsSbN材料的光学性质.(5)利用选择激发光荧光谱研究了具有InGaAs/InAlAs复合限制层的InAs量子点的载流子弛豫和热淬灭的光学过程.
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