【摘 要】
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本文使用溶胶-凝胶旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了CaCu3Ti4O12 (CCTO)薄膜,通过改变退火温度、预烧温度、晶化方式、晶化时间等工艺参数研究不同工艺对薄膜结构及性能的影响;通过掺杂磁性元素的方法来改善CCTO薄膜的结构及介电性能并探索其稀磁特性。利用X射线衍射(XRD)对不同工艺制备CCTO薄膜的相结构进行了研究;利用掠入射X射线分析(GIXA)技术对CCTO薄膜的残
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本文使用溶胶-凝胶旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了CaCu3Ti4O12 (CCTO)薄膜,通过改变退火温度、预烧温度、晶化方式、晶化时间等工艺参数研究不同工艺对薄膜结构及性能的影响;通过掺杂磁性元素的方法来改善CCTO薄膜的结构及介电性能并探索其稀磁特性。利用X射线衍射(XRD)对不同工艺制备CCTO薄膜的相结构进行了研究;利用掠入射X射线分析(GIXA)技术对CCTO薄膜的残余应力进行表征;采用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌;通过恒电位仪对薄膜的介电性能进行测量;
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