【摘 要】
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ZnSe作为一类具备了直接能隙(2.7eV)的半导体材料，考虑到其在半导体仪器的应用上占有很大优势，并且具有广大的发展空间，例如能够成为太阳能电池的材料，ZnSe已经被很多学者分析。
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ZnSe作为一类具备了直接能隙(2.7eV)的半导体材料，考虑到其在半导体仪器的应用上占有很大优势，并且具有广大的发展空间，例如能够成为太阳能电池的材料，ZnSe已经被很多学者分析。特别是通过化学气相沉积法、热壁外延法以及分子束外延法等方法制备的ZnSe，受到很多学者的重视，并被广泛地研究。本文采取的实验方法是电沉积法，用此法在ITO导电的玻璃基底上制备了ZnSe薄膜。本实验采取ZnSO4以及SeO2作为电解质。实验中，通过不断调整实验工艺参数，如温度、pH值、离子浓度、电沉积电位等因素，最终得到在沉积温度为35℃，PH=2.3，Zn/SeO3浓度比为500/3，沉积电位为-800mV时可获得最理想的薄膜。对ZnSe薄膜结构进行UV-VIS、SEM以及XRD的测试，根据UV—VIS透过率曲线得出该薄膜具有65％以上的良好的透过率，从SEM扫描图像观察到了薄膜的表面结构，根据对XRD衍射仪的分析获得了薄膜位于(111)(220)(311)处的三个特征峰，深入研究了ZnSe电沉积法的实验过程以及其影响因素。
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