二维材料由于其具有独特的物理化学性质和潜在的应用前景而在一段时间以来倍受广大科研人员的关注。近年来,科研人员逐步丰富了二维材料体系并使其家族得以发展壮大,以MoS2和WS2为代表的过渡金属硫族化合物就是二维材料家族中的一个重要成员。研究表明,向二维MoS2中掺杂某些原子可以改变二维MoS2的一些性质,但在研究中往往忽视了掺杂后被破坏的半导体性质,从而使材料的应用受到了一定的限制,因此,通过掺杂的方法对材料相关性质进行调控具有重要意义。本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了??133的二维MoS2和WS2超胞模型。计算结果表明,纯净的MoS2和WS2呈现良好的半导体性质,体系不显磁性。通过对MoS2和WS2体系分别替位式掺杂Mn、Fe、Co原子,体系均可获得磁性,但掺杂破坏了体系半导体结构,使体系均呈现半金属性质,并对掺杂了Mn、Fe、Co原子的MoS2和WS2体系进行了分析对比。接下来本文研究了非磁性原子C、Si、Ge掺杂WS2体系的性质,掺杂C、Si、Ge后的WS2体系可以呈现良好的窄带隙二维材料的特点,但体系出现了杂质能级。通过分析,文中选择了Si和Mn原子对WS2体系进行共掺杂,掺杂后体系呈现了良好的半导体特征,体系同时具有了磁性。另外,还选择了N和Fe原子继续对WS2体系进行共掺杂,结果显示共掺杂后调节了体系的半金属特性,得到了具有磁性的半导体材料。