本文根据功率多芯片组装模块成品率低的现状,首先分析比较了芯片级成本和模块总成本随模块中芯片数量和模块成品率而变化的关系,提出了临界成品率的概念。建立典型的成本模型得出了临界成品率随芯片数量的变化趋势,并给出了单芯片,双芯片到四芯片的成本曲线和临界成品率,分别为89%,94%和98%。当由于芯片原因引起的模块成品率低于临界值时,采用将问题晶圆重新测试的方法,虽然会增加一定的成本,但可以避免更大的模块废品成本。其次,对于由某一封装原材料而引起的模块低成品率,也存在临界成品率,本文建立典型公式阐明了如何计算这一临界成品率。当由于原材料原因引起的模块成品率低于该临界成品率时,直接废弃原材料可以避免模块级的更大浪费。另外,本文还针对功率多芯片模块的成品率问题主要集中在功率芯片的UIS和Rdson参数上,给出加强这两个参数的测试能力和准确性的方法。本文还特别研究了短路测试不良这一功率多芯片模块终测最主要的不良参数,提出了增加晶圆级BVges测试并用实验证实了这一方法对于减少模块短路测试不良的显著作用。本文列举了介绍的这些方法在生产实际中广泛使用而取得的显著经济效益。最后本文阐述了关于系统的防范功率多芯片模块低成品率的方法。