【摘 要】
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对有限宽势垒AlxGa1-xAs/GaAs量子阱系统,引入三角势近似势阱能带弯曲,利用变分法讨论施主杂质态结合能.给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组份的变化关系,并与方阱情形对比.结
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对有限宽势垒AlxGa1-xAs/GaAs量子阱系统,引入三角势近似势阱能带弯曲,利用变分法讨论施主杂质态结合能.给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组份的变化关系,并与方阱情形对比.结果显示：三角势近似下结合能明显小于方阱情形,且两者的差别随阱宽和铝组份(势垒高度)而增加,随势垒厚度增加而减少,但阱内杂质位置的变化对其影响不甚敏感.进而,考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,所得结果显示,结合能之差在压力作用下明显增大.由此说明,在以后相关问题的理论工作中,应考虑导带弯曲的修正.进而,引用LLP中间耦合方法处理电子-体纵光学(LO)声子的作用,在杂质态结合能中计入光学声子模的贡献.比较了有无声子作用时结合能随阱宽、铝组分的变化关系以及压力效应.结果显示：LO声子降低了杂质态结合能,此作用在宽阱情形下更为明显,而且压力效应显著.
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