随着经济的持续增长，中国进入城市建设高速发展阶段，节能减排概念深入人心。风能太阳能等新能源产业，轨道交通业及电网智能化等产业对3300V以上高压IGBT模块市场需求强劲。在这一领域国内尚无IGBT管芯的设计生产制造能力，完全依赖于进口。因而实现高压IGBT管芯的国产化是一个亟待解决的问题。本文从3300V平面栅非穿通型IGBT的设计角度出发，通过对器件参数的工艺设计及优化，对器件的性能特别是动态特性进行研究。首先，本文对IGBT诞生以来所有主要的器件结构与技术类型进行了叙述，分析了国内产业现状及主流工艺水平。综合考虑这两方面因素提出了一种与现有工艺兼容性高，设计难度相对较低，可实现性高的NPT型IGBT管芯设计方案。第二，通过仿真工具，完成了器件衬底材料的参数的选取，器件制造工艺流程的设计。完成了器件元胞正向阻断电压能力与一种芯片面积占用率较低的横向变掺杂型结终端的设计。通过流片证明，器件芯片的正向阻断能力达到3700V。第三，对IGBT元胞参数的设计优化。着重分析了NPT型IGBT的P型体区注入剂量，JFET注入剂量，元胞栅长，漂移区长度，漂移区少子寿命，背面P型集电区注入剂量等六个重要参数对器件的阈值电压Vth，导通压降Von及关断时间toff的影响能力。对IGBT的导通压降Von与关断损耗Eoff的关系进行讨论和折衷设计，并根据器件功耗最低的原则选取了各参数的仿真优值。通过流片已获得的部分实测结果对仿真设计的合理性进行验证，为下一轮投片实验的工艺窗口的选取及器件性能的提升做出指导。