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本文首先对多晶硅薄膜的制备方法、应用前景进行了综述，同时对金属诱导非晶态硅晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行了系统概述。 本研究中，成功设计了单反应室双沉积法复合镀膜设备，即在同一反应室内同时有两个沉积系统：真空热蒸发与等离子化学气相沉积。利用该设备在不破坏真空的条件下成功制得了Al／a-Si：H双层复合薄膜与a-Si：H／Al／a-Si：H三层复合薄膜。并通过XRD、Raman、XPS、SEM、TEM、HRTEM、SIMS以及微电流测试仪等分析手段，对退火