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近年来,白光OLED ( white organic light-emitting diode, WOLED )作为一种新型的显示技术和固态光源,由于其本身的制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压等特点已经吸引了人们越来越多的注意。为了简化WOLED器件的制备工艺,利用激基复合物/电致激基复合物发光来调制发光光谱是得到高色纯度白光器件的一个重要方法。但是激基复合物发光一般效率较低,色度不稳定。本文利用课题组自主研发的蓝光材料二(2-(4-三氟甲基-2-羟基苯基)苯并噻唑锌(Zn(4-TfmBTZ)2)和传统的具有空穴传输性能的蓝光材料NPB ,制作了基于NPB/Zn(4-TfmBTZ)2界面激基复合物、电致激基复合物的有机电致白光器件,并从器件结构出发,对其性能进行了优化。首先,我们研究了NPB与Zn(4-TfmBTZ)2厚度对器件性能的影响。制作了Zn(4-TfmBTZ)2厚度为50nm,NPB厚度分别为20nm,40nm,50nm,70nm以及NPB厚度为40nm,Zn(4-TfmBTZ)2厚度分别为20nm,30nm,40nm的两组结构为ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2/LiF/Al的双层EL器件。发现:NPB厚度为40nm,Zn(4-TfmBTZ)2厚度为30nm时的器件性能最佳,其最大亮度为391cd/m2,最大效率为0.64cd/A,最佳色坐标为(0.27,0.32),最高显色指数为83.6。其次,我们研究了在Zn(4-TfmBTZ)2层中掺杂NPB对器件性能的影响。分别以浓度为0%,2.5%,5%,10%,20%的NPB掺入到Zn(4-TfmBTZ)2层中,制作了结构为:ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2:NPB/LiF/Al的双层EL器件。发现NPB掺杂浓度高的器件激基复合物发光较强,掺杂浓度为5 %的器件性能最佳,其最大亮度为683cd/m2,最大效率为0.87cd/A,最佳色坐标为(0.31,0.35),最高显色指数为91.2。然后,我们将Alq3作为电子传输层引入器件,制作了结构为:ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2/Alq3/LiF/Al的三层EL器件,分别测试了Alq3厚度为10nm,20nm,30nm,40nm时的器件性能。发现当Alq3厚度为30nm时器件性能最优,其最大亮度为2445cd/m2,最大效率为1.39cd/A,最佳色坐标为(0.31,0.35),最高显色指数为88.2。最后,我们制作了异质结量子阱结构器件,其结构为:ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2(3.0nm)/NPB(4.0nm)/Zn(4-TfmBTZ)2/Alq3/LiF/Al,通过调节NPB层的厚度,得到了高色纯度,高亮度且色度稳定的有机电致白光器件。其最大亮度为2013cd/m2,最大效率为1.03cd/A,最佳色坐标为(0.324,0.337),接近白光等能点(0.33,0.33),最高显色指数为92.5,接近最高显色指数100,并且器件的发光光谱在驱动电压在10-14V之间变化时表现出极高的色稳定性。