该论文作用包括硅纳米线的拉曼光谱研究和显微拉曼光谱技术测量集成电路中CoSi<,2>电极引起的应力等问题.(1)使用He-Ne激光器的632.8nm的激光线对最新纳米材料硅纳米线的拉曼光谱进行了测量,并使用微晶理论模型对这种材料的拉曼光谱进行了理论计算.对硅纳米线拉曼光谱一级谱以及二级谱都进行了具体的分析,对理论与实验的预告之处进行了较为合理的解释.还使用三种不同激发波长对硅纳米线的拉曼光谱进行了对比性研究,并对它们之间的差异进行了分析和解释.此外,对不同方法制备的硅纳米线线也进行了拉曼光谱的对比性研究.最后,对硅纳米线的荧光性质进行了初步的测量和分析;(2)利用显微拉曼光谱新近发展起来的技术(mapping)方法对大规模集成电路中电极材料CoS?<,2>所引起的应力进行二维扫描测量,获得了二维电极所引起的应力分布图像.并对不同厚度的电极材料所引起的应力的大小进行了对比性的测量.