本文采用二次阳极氧化法制备出多孔阳极氧化铝模板,应用 XRD、TEM、AFM 等研究了氧化铝模板的形貌结构和生长机理,研究了电压、电抛光、二次氧化等对模板的影响。结果表明,氧化铝模板为非晶态结构,氧化铝模板孔径约为 30-40 nm。二次阳极氧化法比一次阳极氧化法可以得到更加有序的纳米级孔洞。孔与孔相间且相互平行,分布均匀。孔洞之间互相不连通,取向一致,并可以根据实际需要调节孔径大小。 以多孔氧化铝为模板,采用直流电化学沉积制备了钴、镍纳米线,并用 XRD、TEM、VSM 等分别对组装体系进行了结构和磁性分析。结果表明,组装的钴、镍氧化铝体系阵列是由多晶体的金属纳米线和非晶体的氧化铝膜组成,纳米线长度约 3-7 μm。纳米线的生长是连续的,直径约为30-40 nm,与所用模板孔径相吻合。通过控制阳极氧化电压和电解液温度可以调节纳米线直径。通过控制沉积时间可以调节纳米线长度。 通过对钴纳米线和镍纳米线的磁学性能的研究,揭示出它们独特的磁学性能。它们有着很明显的垂直于膜面的易磁化方向,即易磁化方向是沿着纳米线轴线的方向,符合高密度磁性存储薄膜器件的易轴要求,显示了很好的应用前景。