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吸附氧和掺杂对缺陷态TiO_2磁性影响的研究
【摘 要】
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本文采用第一性原理计算的方式研究吸附氧、掺杂对空位诱导Ti O_2磁性的影响。旨在解决当前实验和理论计算中对于Ti O_2半导体金属氧化物中磁性来源的争论,并为自旋电子设备、半导体集成电路的研究和发展提供一定的理论依据。首选研究对象为金红石Ti O_2(110)表面,通过态密度图、自旋密度图、电荷转移的分析等手段,讨论氧分子吸附时位点的不同对金红石Ti O_2(110)表面磁性的影响。在对金红石T
【出 处】
：
太原理工大学
【发表日期】
：
2021年07期
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