【摘 要】
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稀磁半导体具有较传统半导体显著的优越性质，近些年来受到了人们更多的关注，稀磁半导体具有速度快、低能耗、体积小、非易失性等重要特点，使得未来电子器件的性能可以突破传统电
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稀磁半导体具有较传统半导体显著的优越性质，近些年来受到了人们更多的关注，稀磁半导体具有速度快、低能耗、体积小、非易失性等重要特点，使得未来电子器件的性能可以突破传统电子器件物理上的局限，特别是低维的稀磁半导体材料可以提供更多的操作特性。本文主要研究了稀磁半导体纳米带的磁学性质，计算了平均场近似下的磁化曲线以及在自旋波近似下的自旋波谱。结果表明稀磁半导体纳米带的磁学性质强烈地依赖于载流子密度、磁性杂质密度以及纳米带的宽度，对宽度的依赖性是由量子尺寸效应引起的。
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