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以马铃薯淀粉为原料,合成可反复弯曲折叠的淀粉柔性透明基底膜,通过多元醇法制备银纳米线导电液（AgNW）,同时在银纳米线导电溶液中引入5%体积分数经过乙二醇二次掺杂后的聚（3,4-乙撑二氧噻吩）:聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）溶液,配制复合导电液。旋涂法将两种导电液均匀覆盖于淀粉基底膜表面,形成不同AgNW沉积密度的AgNW导电膜和AgNW/PEDOT复合导电膜。分析比较两种不同类型导电膜及不同AgNW沉积密度导电膜的差异,通过扫描电镜,原子力显微镜,红外光谱,拉曼光谱,X-射线光电子能谱等探究导电膜的形貌,分子构造特性及导电机理,通过四探针方阻测试仪,紫外光谱,粗糙度仪,热重分析对复合膜导电性,透光率,粗糙度,柔韧性及环境稳定性进行研究评价,重点探讨了产品光电性能变化的规律和趋势。以马铃薯淀粉为原料,环氧氯丙烷为交联剂,加入增塑剂甘油,通过加热糊化,交联,塑化等过程流延法获得了透光率高,柔韧性好,表面活性高且光滑平整的淀粉基底膜。淀粉膜红外光谱显示了C-O-C特征吸收峰及氢键吸收峰的变化,说明淀粉分子之间形成了醚键及氢键。制备的淀粉柔性基底膜透光率可达92%,粗糙度低至3.92nm,拉伸应力约29.01MPa,接触角约22.8°,具有较高的表面活性。TGA热重分析显示,淀粉基底膜热分解温度高于250℃,在各项性能指标上均达到柔性透明导电基底膜的前提条件。以硝酸银（AgNO3）作为银源,乙二醇（EG）为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为表面活性剂,采用多元醇法制备银纳米线,合成了直径60nm,长度超过20μm的导电银纳米线,SEM表面形貌分析,X射线衍射以及紫外可见光谱均显示出其一维线性纳米结构。PEDOT:PSS溶液进行二次掺杂后添加至AgNW水溶液,合成AgNW/PEDOT复合导电液。拉曼光谱显示,PEDOT:PSS溶液经过二次掺杂后PSS成功脱离PEDOT分子链,同时,AgNW/PEDOT复合导电液中PEDOT链参与AgNW网状结构,表明金属导电材料AgNW与高分子导电材料PEDOT成功复合。通过旋涂仪将AgNW导电液沉积在淀粉膜基底表面,得到不同银纳米线沉积密度的导电膜,导电膜方阻随AgNW沉积量的增大而降低,但降低速率逐渐减慢,最终趋向平衡;透光率随AgNW沉积量的增大呈线性下降关系;粗糙度随沉积量增大逐渐增大。当沉积密度为300mg/m2时,方块电阻Rs低于22.6?/sq,透光率T约65%,光电优值（FOM）高于35,是传统氧化铟锡（ITO）导电膜的良好替代材料。将AgNW导电膜反复进行弯曲试验后测试方阻值,Rs变化量低于5%;将AgNW导电膜放置于空气中由于AgNW的氧化,100天后,方阻Rs增加量超过10%,导电性下降。将AgNW/PEDOT:PSS复合导电液旋涂于淀粉基底膜表面,制备AgNW/PEDOT柔性透明复合导电膜。相比于AgNW导电膜,AgNW/PEDOT导电膜通过导电聚合物链PEDOT和金属纳米线AgNW之间的电荷载流子传输,有助于电子通过跳跃机制进行电荷转移,杂化膜的导电性提高;PEDOT:PSS溶液的存在使AgNW对光的散射作用减弱而使透光率略微降低,同时在AgNW网格表面形成一层光滑均匀的PEDOT:PSS膜,粗糙度显著减小;将导电膜反复弯曲折叠,由于PEDOT:PSS的固定作用方阻变化幅度降至2%,稳定性及柔韧性增强;比较导电膜在空气中环境稳定性,暴露在空气中的AgNW易氧化使AgNW膜方阻增大而AgNW/PEDOT导电膜由于PEDOT:PSS的封装作用方阻增加幅度低于5%,稳定性进一步提高。