【摘 要】
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局域表面等离子体共振（LSPR）是指受限在金属纳米粒子，金属纳米结构或者其它金属纳米材料表面的电荷密度的共振，其在纳米光学器件，化学传感，环境监控，生物成像以及高分子材料表面分析等领域有着广泛的应用。结合这种可以产生LSPR的金属纳米结构与刺激-响应材料可以制备刺激响应的光学器件。在众多常用的刺激-响应材料中，液晶由于其明显的光电效应和热电效应在这些相应外界刺激存在条件下的相态之间的转变受到人们的
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局域表面等离子体共振（LSPR）是指受限在金属纳米粒子，金属纳米结构或者其它金属纳米材料表面的电荷密度的共振，其在纳米光学器件，化学传感，环境监控，生物成像以及高分子材料表面分析等领域有着广泛的应用。结合这种可以产生LSPR的金属纳米结构与刺激-响应材料可以制备刺激响应的光学器件。在众多常用的刺激-响应材料中，液晶由于其明显的光电效应和热电效应在这些相应外界刺激存在条件下的相态之间的转变受到人们的广泛关注。作为非常出色的光电活性绝缘介质，它在显示器，光学周期性结构和色彩可调聚合物光栅中有着重
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DC-PCVD法硼掺杂金刚石膜的制备及其生长特性研究掺硼金刚石膜是集多种优异性质于一身的新型多功能材料,它具有良好的导电性能、稳定的化学惰性、优异的电化学特性、较低的表面粗糙度等。掺硼金刚石膜的这些优点拓宽了金刚石膜在微电子领域、电化学领域和机械加工等领域的应用,在航天器件和光电子器件等高新技术领域也具有广阔的应用前景。掺硼金刚石膜是金刚石膜应用研究的热点,研究掺硼金刚石膜的制备工艺和生长特性具有
透明导电氧化物（TCO）被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、气敏元件、薄膜电阻和光电器件等，其中ITO薄膜是研究热点之一。随着科学的发展，在柔性衬底上低温制备TCO薄膜已成为当前热门的研究课题。因为柔性衬底表面不平整，容易吸收水分和气体，我们在柔性衬底上预先制备了SiO_2缓冲层来解决上面的两个问题。ITO通常是在沉积温度大于250℃或者高于300℃的条件下退火以此来获得高的透过率和电导率。但是在
氧化镍材料是一种透明的p型宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.6-4.0eV。由于其较好的化学稳定性、光学、电学等性质，广泛的应用在气敏传感器、超级电容器、半导体光电器件等领域。本论文采用磁控溅射技术在Si、ITO、玻璃衬底上制备了NiO薄膜，我们对薄膜材料的结晶质量、表面形貌以及光学和电学特性进行了表征分析，主要讨论了溅射功率、氧氩比和衬底温度对薄膜特性的影响。综合实验结果，我们制备得到了较高质量的
作为低温硅基薄膜制备技术,热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)目前得到了人们广泛的关注。同PECVD相比,HWCVD技术具有沉积速度高,沉积过程中无离子轰击损伤,气体利用效率高和光衰退效应弱等显著优点,并实现了非晶、微晶(包括纳米晶)、多晶硅基薄膜以及单结、叠层、单晶-非晶等异质结薄膜太阳电池的制备。微晶硅(尤其是“边缘态”纳晶硅)薄膜视为下一代器件制造领域的有力
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本文基于朗道平均场理论,研究了纳米尺度铁电薄膜和超晶格中的应变效应、尺寸效应、电极效应、空间电荷效应以及电生热效应。我们首先在第二章简单介绍了朗道理论,其中包括对二级相变、一级相变以及朗道理论适用性的介绍。我们在第三章中讨论外延单畴多铁BiFeO3薄膜中的应变对其铁电相变的结构特性的影响。理论预测,剩余极化表现出很强的应变依赖性,而自发极化强度却在很大的温度范围里(0—500度)几乎对应变不敏感。
自从1988年巨磁阻效应首次被发现并广泛应用在垂直磁记录硬盘上,磁学及磁性材料日益引起科研工作者的广泛关注。理解并直接观测磁性材料在外磁场等外部因素下的磁化反转过程,是新型磁性器件的设计制作的关键环节之一。洛伦兹透射电子显微术因其具有超高的空间分辨率以及能够进行大范围实时观测等优点,成为目前观测样品磁特性较为常用的一种分析测试手段。本文将详细介绍洛伦兹透射电镜的基本知识以及调试测试方法。并利用洛伦
现场混装炸药车是集运输、生产、装填为一体,机械化及自动化水平高的炸药生产工具,它具有安全可靠、计量准确、操作方便、环保等技术特点,现场混装炸药车是今后矿山爆破装药机械的发展趋势,它在行业内有广阔前景。液压控制系统是现场混装炸药车的一个关键子系统。本文阐述了现场混装炸药车的发展、现状与趋势,分析了现场混装炸药车对液压控制系统的要求,设计了现场混装炸药车的液压控制系统,并完成了生产、制造、现场安装与调
过渡族金属的氮化物，例如TiN薄膜、CrN薄膜、ZrN薄膜具有高熔点、高硬度、良好的热稳定性、抗腐蚀性以及抗氧化性等，因此被广泛地用在刀具表面做强化材料。这类氮化物薄膜一般是柱状结构，抗高温能力较差。TiAlN膜、TiCrN膜这些复合薄膜具有更高的热硬度和抗高温的能力。脉冲偏压阴极电弧离子镀技术具有沉积温度低、薄膜质量好和低应力等优点。为了进一步研究常用氮化物薄膜在不同占空比条件下的性能，本文采用