【摘 要】
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该论文主要采用了透射电子显微技术研究了射频源分子束外延系统（RF-MBE）在GaAs（001）衬底上先外延AlAs缓冲层再生长的GaN薄膜,并分析了AlAs缓冲层及其表面氮化对GaN薄膜生长的影响
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该论文主要采用了透射电子显微技术研究了射频源分子束外延系统（RF-MBE）在GaAs（001）衬底上先外延AlAs缓冲层再生长的GaN薄膜,并分析了AlAs缓冲层及其表面氮化对GaN薄膜生长的影响,获得了一些新的结果.1.研究了AlAs和GaAs表面对GaN不同相结构的选择生长.2.比较分析了GaAs和AlAs层表面初始氮化层的差异.3.研究了AlAs缓冲层表面氮化对所生长的GaN薄膜晶体质量的影响.4.在氮化的AlAs表面上,外延几个原子层的低温AlN缓冲层可以降低其后所生长的GaN薄膜中马赛克结构.
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