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自从有机场效应晶体管(OFETs)诞生以来就受到了广泛关注,由于具有制备工艺简单、成本低廉、适合低温大面积制造、可与柔性衬底兼容等诸多优势,使其在电子器件中有着巨大应用潜力。它可以用于智能卡、传感器、电子纸、射频识别标签等,为大规模集成电路、平板显示驱动等提供了新的解决方案,成为有机电子器件中重要的研究领域。OFETs是注入型的器件,载流子传输的和注入都对其器件性能起着至关重要的影响。一方面,在有源层制备过程中进行衬底加热是一种行之有效的改善薄膜形态的手段,可以进而优化载流子传输;另一方面,在电极与有源层间插入修饰材料可以有效地提高载流子注入。因此,本文主要从上述两个方面,采用衬底加热,分别在基于p型和n型半导体材料的器件中使用电极修饰材料,研究了不同的衬底温度条件和电极修饰层厚度对器件性能的影响。具体研究内容如下:(1)制备了基于并五苯为有源层、PMMA为绝缘层的底栅顶接触结构OFETs器件,在并五苯薄膜的真空蒸镀过程中控制衬底温度分别保持在15、30、60、90?C。结果显示在60?C衬底温度条件下器件性能最好,器件的有效迁移率从15?C的2.9×10-4 cm2/V·s提高到3.39×10-3cm2/V·s。通过理论分析,分析了60?C衬底温度下器件性能达到最优的原因。(2)基于衬底加热的最佳优化条件,制备了基于并五苯和PMMA分别有源层和绝缘层的底栅顶接触结构OFETs器件,并在Al电极和并五苯有源层间插入过渡金属氧化物Mo O3。结果显示,与未插入Mo O3修饰层的器件相比,器件的有效迁移率达到2.25×10-1cm2/V·s,提高了66倍,阈值电压也由12V降到了3V。这是由于Mo O饰层有效地降低了Al电极和并五苯之间的注入势垒,降低了接触电阻,从而提高了载流子注入。(3)探索制备了基于n型材料P13为有源层的底栅顶接触OFET器件,采用了OLEDs中常用的对阴极注入起增强作用的Cs2CO3、Cs CH2COOH作为修饰材料,研究这两种修饰层对P13器件性能的影响。制备的未修饰P13器件展示了较典型的n型输出特性,而Cs2CO3修饰后的器件性能有所提高,Cs CH2COOH修饰后的器件未获得稳定的性能,并对实验结果进行了合理的理论分析。