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石墨烯具有优异的电学和光学性能,在电子器件、航天、能源领域有广泛的应用前景。本文以热解石墨为靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)研究了石墨烯较佳的制备工艺,成功在单晶Cu(111)基片上外延生长石墨烯薄膜。最终得到了以下研究结果:(1)在高真空气氛中,单一变量条件下,对比不同脉冲沉积发数的碳薄膜。发现减少沉积发数有利于石墨烯薄膜的制备,相反,增加沉积发数趋向于无序结构。当脉冲数为100发时,得到了制备石墨烯薄膜较佳的沉积发数。(2)在高真空气氛中通过对比不同沉积温度下制备石墨烯薄膜,发现温度对薄膜结晶