【摘 要】
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本论文基于硅基CMOS工艺中直径为0.6μm,高宽比大于1的接触孔,研究其形貌与金属填充(物理溅射工艺)效果的关系,并得出最优填充效果下的接触孔形貌。在各向同性和各向异性刻蚀
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本论文基于硅基CMOS工艺中直径为0.6μm,高宽比大于1的接触孔,研究其形貌与金属填充(物理溅射工艺)效果的关系,并得出最优填充效果下的接触孔形貌。在各向同性和各向异性刻蚀菜单建立的过程中研究了相关工艺参数对于刻蚀形貌的影响,并确立了基准接触孔形貌(各向同性与各向异性刻蚀比例为1:1的酒杯形貌)。为了解决各向同性与各向异性部分的衔接尖角严重降低金属台阶覆盖率的问题,进行了降低尖角高度、减小尖角尖锐度和倒角三种实验来优化孔的形貌。最后结合SEM下的台阶覆盖情况和接触孔电阻值,确定了通过对基准接触孔形貌进行物理轰击倒角的最优方法。
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