主动矩阵有机发光二级管显示器（AMOLED）是又一新型显示技术，被誉为可以代替液晶的下一代显示技术，其中薄膜晶体管（TFT）技术是AMOLED技术的主要核心与难点。采用TFT构成的外围电路，如行集成驱动电路，ESD电路等替代专门的CMOS芯片，可以降低显示屏的成本，提高显示质量和良率，已成为国内外研究的热点。本文主要在氧化锌（ZnO）基TFT的模型参数提取和曲线拟合，基于氧化锌基TFT的行集成驱动电路设计和参数确定，ESD电路设计和参数确定等方面进行了深入地探讨和研究。针对目前还没有氧化锌基TFT的仿真标准模型，本文根据实验测试出来的TFT特性曲线，对器件主要性能进行参数提取，并基于RPI-62level TFT管模型，拟合实验测出来的器件曲线，吻合度符合后续章节仿真的需求。本文根据ZnO基TFT的特性，分析传统行集成驱动电路结构采用ZnO基TFT制作的不足，如电路存在漏电回路，功耗大，输出电压幅值小等缺点，设计了两种新型的行集成驱动电路，单时序直流驱动和流水线交流驱动行集成电路，详细地分析它们的设计过程以及工作原理。给出了HSPICE的仿真结果，满足驱动采用2T1C像素电路的320*480显示屏驱动设计指标，速度为50kHz，输出电压幅度为16V，功耗低于3mW。并对单时序直流驱动电路进行了流片，对流片后的电路进行测试，分析设计和版图上存在的问题，提出下一步工作重点。最后本文分析并实验验证传统结构的ESD电路采用ZnO基TFT制作存在的不足，正常工作下的漏电流过大，影响阵列工作，设计ZnO基TFT新型静电放电（ESD）电路，实验验证具有ESD保护功能。