随着能源问题的恶化,发展和利用太阳能电池技术成为现今世界的主流,目前单晶和多晶太阳能电池仍然占据市场的主要份额,如何提高此类太阳能电池的效率是当前我们必须面临的主要问题。论文结合生产研究SiO₂和SiN_x叠层钝化对单晶太阳能电池性能的影响,高陷光表面减反层对多晶太阳能电池的各项性能的影响,以及一些扩散的调试工作心得和相应的少子寿命研究。高温氧化得到SiO₂膜对晶体硅电池有非常好的钝化效果,它在硅片表面形成Si-O键,能够有效的减少表面缺陷,从而达到降低表面复合速率的目的,最终提高Si片的少子寿命极大地提高电池的性能,热氧SiO₂膜主要是依赖于降低表面态的钝化方式,使界面电荷浓度很低。SiN_x薄膜是常规工艺生产中的得到主要应用的光学薄膜,一方面沉积SiN_x薄膜的过程中伴随着有H离子注入的过程,在这个过程中,H离子的注入起到相对良好的钝化效果,另一方面,常规的PECVD工艺比较容易实现良好的减反薄膜,形成75nm的光学薄膜只需要20min左右。常规的热氧氧化成膜比较缓慢,长时间的氧化的环境下才能形成10nm-20nm,所以本论文通过在热氧氧化形成一层致密的SiO₂层的基础上再通过PECVD工艺沉积一层高质量,高折射率的减反膜最终探究SiO₂和SiN_x双层膜对优化太阳能电池各项电性能的影响。单晶硅是通过各向异性进行腐蚀的,由于不同晶面族的键能和悬挂键的差异,会导致在碱液中有不同的腐蚀速率,最终形成金字塔结构,多晶硅没有单晶硅的各向异性,只能形成腐蚀坑状结构,所以多晶制绒的减反效果成为一道难以逾越的鸿沟,难以形成较低的反射率,干法制绒高效电池使多晶硅的低反射率成为可能,该方法通过辉光放电产生等离子体对硅片表面进行选择性刻蚀,形成致密的纳米结构,从而起到良好的陷光效果,能使多晶硅的平均反射率达到4%,从而大大提升电池片效率。论文研究如何与实际产线工艺结合提升电池片效率。