【摘 要】
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该论文主要是关于高速Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱行波电光强度调制器的理论研究,包括量子阱、微波设计两个方面.同时在理论研究的基础上完成了器件制作,并利用能有的条件对器件的某
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该论文主要是关于高速Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱行波电光强度调制器的理论研究,包括量子阱、微波设计两个方面.同时在理论研究的基础上完成了器件制作,并利用能有的条件对器件的某些性能进行了测试.通过该论文的工作,对GaAs材料上的量子阱行波光调制器的理论分析、设计和制作工艺的研究,均取得了一定的成果,这为我们进一步研制实用化的长波长高速调制器以及量子阱器件打下了良好的基础.
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