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本论文围绕用于OLED显示驱动薄膜晶体管开展了系列研究,工作主要包含两大部分内容:其一是关于薄膜晶体管的设计与制作部分,其二是关于AM-OLED显示驱动的薄膜晶体管阵列电路的设计部分。薄膜晶体管的设计与制作部分主要工作包括:1.制作了基于水热合成的Na2Ti3O7纳米线晶体管,器件结构为ITO/PMMA-GMA/Al/ Na2Ti3O7纳米线。该器件呈现P型特性,场效应迁移率μ=0.1 cm2/Vs,开关电流比可以达到103。2.制作了顶栅自对准结构的CuPc薄膜晶体管器件,器件结构为CuPc/nylon/CaF2/MoO3/Al,该器件呈现P型特性,场效应迁移率μ=2.68 cm2/Vs,开关电流比可以达到104。3.制作了聚噻吩纳米纤维的晶体管。器件结构为噻吩纳米纤维/Au/相对干燥的空气与SiNx复合绝缘介质/重掺杂的Si栅电极。该器件显示出P型特性,开关电流比可以达到0.4×106,开启电压约为1 V,场效应迁移率μ= 14.9 cm2/Vs。电路设计部分主要工作包括:1.设计了一种多栅双沟道P-Si TFT结构,这种结构P-Si TFT的关态漏电流与同样工艺条件下多栅TFT在同一个数量级,开态电流增加一倍,这就使得宽长比相同的TFT的驱动负载能力增大了,提供同样电流的情况下在集成矩阵当中占更小的面积,有效地提高开口率。2.设计了用于AM-OLED的多晶硅像素驱动电路,该像素电路包含3个TFT,用该电路实现TFT驱动阵列制备的过程中,可以省去一次掩模掺杂的过程。3.设计了一种LTPS-TFT-AMOLED显示区制备OLED阵列后,显示区TFT与OLED阵列的综合测试发光像素工作状态的测试方法,在显示区外围增加适量的晶体管便可达到测试目的,而且可以无需外接驱动芯片就可以点亮整个显示屏。