射频单刀双掷开关作为射频收发机前端系统的关键模块,其性能直接影响整个收发机系统处理信号的能力。随着通信技术的不断发展,通信系统对收发机模块的性能需求不断提升,这也对开关的插入损耗、隔离度以及线性度等性能提出了更高的要求。因此研究并设计高性能的射频单刀双掷开关成为收发机系统研究的重难点之一。本论文基于65nm CMOS工艺设计了两种应用于收发机前端的24.25～29.5GHz单刀双掷射频开关。由于收发机发射模式与接收模式所传输的信号功率相差较大,因此两种开关均采用非对称结构以提升发射模式的线性度。第一种开关以对称式Π型50Ω匹配结构为基础,在发射端改用并联的堆叠晶体管来提升发射模式的线性度,其支路采用Π型50Ω阻抗匹配网络来实现低损耗信号传输。第二种开关采用非对称式LC结构,在对称式MOS串并联结构的基础上去除发射端并联MOS管与接收支路串联MOS管,以此提升发射模式线性度,并且借助LC并联谐振网络提高隔离度性能。路场混合仿真结果表明,第一种开关在24.25～29.5GHz频段内实现发射模式插入损耗小于1.75dB,隔离度大于24.32dB,输入1dB压缩点（27GHz）大于18.9dBm,接收模式插入损耗小于2.135dB,隔离度大于18.02dB,输入1dB压缩点（27GHz）大于9.08dBm。第二种开关在24.25～29.5GHz频段内实现发射模式插入损耗小于1.61dB,隔离度大于24.3dB,输入1dB压缩点（27GHz）大于37.89dBm,接收模式插入损耗小于1.47dB,隔离度大于16.7dB,输入1dB压缩点（27GHz）大于9.92dBm。两种射频开关均达到了设计指标要求。本文设计的两种CMOS射频开关路场混合仿真性能满足系统要求,可以应用于相应频段的射频收发系统中。