近年来，宽禁带半导体在实现短波长光学器件和短波长激光发射上受到人们的普遍关注。作为候选材料之一的ZnO为纤锌矿六方结构直接带隙半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能为60meV，室温下不易被热激发，具备了室温下发射短波长光的必要条件。不仅如此，ZnO还具有较高的导电性能，且化学稳定性好，材料来源丰富，价格低廉。这些特点使得ZnO成为一种优良的制备光电子器件的材料。 目前对ZnO电致发光的研究也取得了一些突破性的成果，但是这些研究大多是基于掺杂技术获得ZnO的p-n结来实现ZnO薄膜材料的电致发光。而对于制备方法较简单的ZnO纳米粉体材料的电致发光行为研究却鲜见报导。本文在前期工作的基础上，对原材料配比和工艺路线进行了改进，系统研究了直流电场下ZnO粉末的电致发光特性以及前驱体材料的介孔结构对于ZnO粉末电致发光强度的影响，获得了一些有意义的结果。 在多孔ZnO粉末的制备及其电致发光性能研究中，主要对sol-gel法制备ZnO纳米粉末的工艺作了改进，并将ODA和F-127作为模板剂引入到多孔材料的制备中，最后研究了材料的电致发光性能。结论如下： 1．通过正交实验对原有工艺进行改进，得到了ZnO粉末前驱体最佳制备条件：即在锌离子与氢氧化锂摩尔比为1：1.4；氢氧化锂控制在2-3小时滴加完毕，体系继续在冰浴搅拌下(小于4℃)反应4-6小时，使其充分反应；再经真空干燥处理。 2．讨论不同模板剂和用量制备得到的ZnO对电致发光强度的影响；与未经模板剂处理得的纯ZnO晶体粉末的发光性质相比，在各模板剂的最佳用量(ODA0.516mmol和F-1270.15mmol)下，F-127作用的样品的绿光的发光强度提高较大，发光峰值提高了5.6倍、总发光能量提高5.8倍；ODA的作用较小，使峰值提高了2.8倍、发光能量提高了2.6倍。 3．通过对ZnO的前驱体的煅烧，发现烧结工艺是影响纳米ZnO粉末的电致发光性能重要的原因之一，并得出以下几点结论：①以ODA为模板剂的ZnO凝胶经过烧结过程，发现不同烧结条件下ZnO样品的电致发光谱中呈现绿光辐射峰和红光辐射峰；并且随着烧结条件的变化，红光和绿光峰值分别显著增大。②对F-127为模板剂的ZnO制备工艺进行改进，对所的样品进行电致发光性能测试，在不同反应条件下所得ZnO粉末呈现出绿光和橙光不同的辐射，并且峰值随电压增加而明显增高。