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射频溅射制备铜/镁掺杂氧化锌薄膜的形貌及光学特性

被引量 : 3次 | 上传用户：j15890193764

【摘 要】

：

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,具有较大的室温禁带宽度(3.37eV)和较大的室温激子结合能(60meV)。在大气中不易被氧化,具有高的热稳定性和化学稳定性。它在紫外发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器、稀磁半导体、气体传感器等领域有广阔的应用前景。ZnO薄膜的制作方法很多,传统方法有:磁控溅射、化学气相沉积(CVD)、溶胶凝胶法、喷雾热解法、热氧化法、分子束外延(MBE)等,新的

【作 者】

：

毛雷鸣 

【机 构】

：

西北师范大学

【发表日期】

：

2010年05期

【关键词】

：

AFM 光致发光 Mg掺杂 Cu掺杂 透射 

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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,具有较大的室温禁带宽度(3.37eV)和较大的室温激子结合能(60meV)。在大气中不易被氧化,具有高的热稳定性和化学稳定性。它在紫外发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器、稀磁半导体、气体传感器等领域有广阔的应用前景。ZnO薄膜的制作方法很多,传统方法有:磁控溅射、化学气相沉积(CVD)、溶胶凝胶法、喷雾热解法、热氧化法、分子束外延(MBE)等,新的生长技术如脉冲激光沉积(PLD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、原子层外延生长法(ALE)、激光

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