随着电子信息技术的不断发展,对信息储存的能力提出了更高的要求,促使芯片封装技术向小型化、高集成度的方向发展。三维封装技术的出现,大幅提高了存储容量以及封装面积的利用比例,从而被广泛应用于存储器封装领域。然而,由于塑料本身的材料特性,在封装过程中经常面临着翘曲分层、引线偏移等可靠性问题,在实际使用中还需考虑结温过高带来的失效风险。因此,合理的三维封装结构优化设计是从生产工艺角度提高器件可靠性的有效手段。本文以存储芯片错位式三维堆叠封装结构为研究对象,在考虑塑封料粘弹性的前提下,从封装可靠性和塑封工艺可行性两方面进行分析,探究各因素对封装体性能的影响趋势,并以此作为优化分析的基础,提出优化方案。本文具体研究内容包括:（1）基于广义Maxwell模型开展环氧模塑料的力学性能表征实验,作为全文仿真分析的基础。在动态力学实验中,利用DMA设备得到储能模量E’、玻璃化转变温度Tg等基本材料参数。通过时-温等效理论构建储能模量主曲线加以处理,得到剪切松弛系数与体积松弛系数等相关参数。在热机械分析实验中,利用TMA设备获取样品尺寸变化量-温度相关曲线,完成对玻璃化转变温度Tg的二次检测与相应热膨胀系数的获取。（2）在封装可靠性方面,通过仿真分析的方式主要考虑封装结构参数变化对封装翘曲、热应力以及芯片结温产生的影响。仿真结果显示,受塑封料的粘弹性能影响,高温阶段发生应力松弛,塑封料厚度是影响翘曲的主要因素。在热性能方面,受内部多热源的影响,芯片间存在一定的热耦合现象,粘接剂厚度是影响结温的主要因素。综合上述结论,优先考虑封装翘曲的影响,通过在极差分析中引入加权评分的方式,获取结构参数对封装性能影响的主次顺序为:粘接剂厚度、塑封料高度、芯片厚度,优化后结构的最大翘曲为18.21μm,最高结温达54.43℃。（3）在塑封工艺可行性方面,对存储芯片堆叠封装传递模塑工艺进行分析,探究浇口方案设置及各工艺参数在成型过程的影响。在单浇口方案下,利用单一因素分析的方法,以金线偏移量与熔体转化率作为衡量指标进行比对分析。结果显示,熔体流动影响的实质为流动速率与粘度变化之间的权衡,试验结果均展现出对模具温度强烈的依赖性。综合评定上述两试验结果的变化趋势,最终获取影响成型过程的主次顺序为:模具温度、熔体温度、充填时间。综上,本文初步阐述了组件材料与塑封工艺参数变化对存储芯片堆叠封装性能的影响,旨在为实际生产环节提供一定的指导意义。