本文主要对GaSb基进行欧姆接触的制备以及的电学性质进行研究。以课题的研究背景、国内外发展现状为前提,在此基础上,介绍了半导体激光器以及Ⅲ-Ⅴ族材料的特性,并详细阐述了对GaSb基半导体材料表面硫钝化研究、GaSb欧姆接触的制备过程、电学方面的特性研究及目前的研究进展。详细讲解了金属与半导体接触及欧姆接触的相关机理,并设计以GaSb基半导体材料为主体的欧姆接触金属化结构。本论文详细的讨论了n型GaSb的欧姆接触形成机理,以及在形成欧姆接触后比较不同退火温度和时间对接触电阻率的影响,以及GaSb表面钝化处理对接触电阻率的影响,并用扫描电子显微镜和欧姆接触电阻率测试仪进行对n型GaSb的欧姆接触的电学分析。在实验部分,分别对GaSb基半导体材料表面硫钝化、退火温度和时间对欧姆接触接触电阻率影响进行实验,研究了样品形成欧姆接触后接触电阻率阻值情况,重点分析了对其表面硫钝化处理以及较不同退火温度和时间对欧姆接触的接触电阻率的影响。在以上的工作中,我们可以看出,通过对其表面硫钝化处理和比较不同退火温度和退火时间改善了GaSb基欧姆接触接触的电阻率的大小。