【摘 要】
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CdSe作为重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,两种结构的CdSe晶体室温禁带宽度分别为1.75 eV和1.9 eV,其可用于光电应用等领域,如光电探测或太阳能转换,具有广阔的应用前景和重要的理论研究价值。本论文采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)技术,在单面抛光的单晶Si(211)衬底表面上首先制备了 InAs薄膜材料,而且通过热处理对InAs薄膜进行优化处理,以降低Si与CdSe之间
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CdSe作为重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,两种结构的CdSe晶体室温禁带宽度分别为1.75 eV和1.9 eV,其可用于光电应用等领域,如光电探测或太阳能转换,具有广阔的应用前景和重要的理论研究价值。本论文采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)技术,在单面抛光的单晶Si(211)衬底表面上首先制备了 InAs薄膜材料,而且通过热处理对InAs薄膜进行优化处理,以降低Si与CdSe之间的晶格和热膨胀失配,最后在InAs表面探究制备了 CdSe薄膜。CdSe/InAs/Si(211)薄膜的
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具有磁电耦合效应和多铁性的钙钛矿氧化物材料在自旋电子学、信息存储和磁传感等领域有着非常重要的应用前景。PVA溶胶凝胶是一种简单易行的制备材料的方法,用于低温合成陶瓷粉末。本论文中,利用PVA溶胶凝胶方法制备了La_2MnCoO_6、La_(2-x)Sr_xM_(n1+y)Co_(1-y)O_6和Bi1-xLnxFeO3(Ln=La,Nd)粉末,分析了所制备样品的介电性能、磁性能和结构特征等,主要内
随着目前能源危机及环境污染的加剧,清洁的、无污染的、可再生的太阳能的应用,对解决能源危机和污染具有显著的意义,太阳能应用是清洁能源发展的主要方向之一。提高太阳能的利用效率是太阳能应用的主要任务,相关研究证明减反结构有效提高太阳能器件的效率。受到自然界中植物叶片表面结构的疏水及光学特性启示,本文主要研究仿植物叶片表面结构,制备出具有减反射和自清洁性能光学薄膜,达到增加硅太阳能电池的效率的目的。仿植物
离子注入是一种有效改善金刚石膜导电性能的表面改性技术,金刚石膜场发射性能的研究是制备场发射显示器冷阴极材料的基础。本实验采用离子注入技术和不同退火处理工艺,将100 keV、1×1017 ions/cm2剂量的Cu离子注入到由微波等离子化学气相沉积(MPCVD)方法自制的微米金刚石膜(MCD)中,并在不同的温度下进行退火,探索最佳处理工艺增强金刚石膜的场发射性能。在MCD膜表层合成Cu纳米颗粒(N
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳电池具有光电转换效率高、弱光性好、禁带宽度可调等优点,备受光伏界的关注。该电池由Mo背接触电极、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ZnO:Al窗口层、金属前栅线电极和MgF2减反层等多层功能材料构成。电池器件的光电转换效率、稳定性等性能,直接受每层薄膜质量的影响。本论文对部分薄膜层进行优化,以期得到高效稳定的CIGS薄膜太阳电池。主要开展
淀粉受环状结构和羟基间互相缔合作用的影响,导致淀粉浆膜的韧性较差,造成织造过程中被覆于经纱表面的浆膜易碎脱落,产生落浆问题,严重影响织造效率。为了提高淀粉浆料的上浆性能,可以对淀粉进行化学变性以及与PVA共混来增韧淀粉浆膜,提高它的韧性。为此,本课题以3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵为醚化剂,与淀粉进行醚化反应,在淀粉大分子链上引入3-三甲基氯化铵-2-羟丙基原子团,合成季铵阳离子淀粉(QS)。使用
钨由于有着极高的熔点(3422℃)、极高的硬度、较大的密度,高的热稳定性,因此在国防工业、航空航天工业、机械制造业等领域有着极为重要且不可替代的应用,是一种极为重要的战略储备金属。钨的应用已经持续了 100多年,但地球上钨资源的储量极为有限,经过经年累月的开采,地球上的钨矿资源储量正急剧减少。钨矿属于不可再生矿产资源,将钨二次资源进行回收并重新利用起来是实现钨资源可持续发展的重要举措。本文通过对高
氧化锌是一种宽带隙(3.37eV)、较大激子结合能(60meV)的Ⅱ-Ⅵ族金属氧化物,具有非常好的光学和电学性能。因此,氧化锌基透明导电薄膜材料可用于制备液晶面板、太阳能电池等中透明电极。目前ITO透明导电薄膜在透明导电领域中占据绝对的主导地位,短时间内难以撼动其市场地位,但是鉴于Al3+掺杂的ZnO(AZO)薄膜具有可媲美ITO的电学性能和可见光区域的高透过率且具有低成本、资源广等优势,是最有希
碳化钛作为一种重要的高温结构材料,具有熔点高、硬度大、密度低、化学稳定性好等特性,当在TiC中加入SiC时,可以大幅提高碳化钛的断裂韧性,并被广泛应用于机械、航空、微电子等高科技领域。目前,碳化钛普遍通过碳热还原法制备得到,但在材料制备过程中,存在反应温度高,杂质难以去除,产物成分不均匀等问题,而TiC/SiC复合材料的制备过程亦存在工艺流程长、反应温度高等问题,限制了其大规模的应用。本文利用高温
相比传统的氧离子导体固态电解质Y掺杂的稳定Zr02(YSZ),Gd掺杂的Ce02(GDC)因其在中温条件下具有更高的电导率而被广泛研究。为了满足电解质材料薄膜化、中温化的发展趋势,对GDC电解质的制备工艺以及电导性能的研究显得越来越重要。本论文采用反应直流磁控溅射法在单晶A1203基片上制备了 GDC薄膜,XRD物相分析结果表明磁控溅射法制备的GDC薄膜具有立方萤石结构,沿(111)面择优生长。S
铜铁矿结构CuCrO2是一种宽禁带(3.2 eV)层状氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,具有本征P型导电和较大的电输运各向异性。Mg2+掺杂能显著提高CuCrO2的电导率,显示出在P型导电材料领域的巨大潜力。但其掺杂机制,特别是掺杂后对输运各向异性的影响需进一步研究。本论文系统研究了CuCr1-xMgxO2(x=0～0.08)多晶的制备和Mg的掺杂效应,并以较佳工艺在平