电源管理芯片中高性能放大器的研究与设计

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随着CMOS技术的成熟和发展,CMOS器件在速度和功耗以及频率特性方面都得到了很大的改善,利用CMOS技术设计和制造高性能的放大器成为可能。在对功耗要求比较苛刻的便携式电子产品的应用中,用CMOS技术设计运算放大器成为放大器设计的主流方向之一。设计适合于电源管理芯片中大电流应用的高性能CMOS放大器是本文的主要研究目的。以电池供电的便携式电子设备的广泛应用,对电源管理芯片提出了更高的要求,小型化、低功耗、高转换效率,同时内含高性能、大输出电流放大器的开关电源芯片成为其发展的趋势之一,普遍地被应用于有源矩阵薄膜晶体管(TFT)和液晶显示器(LCD)等产品中,其内含的高性能放大器可直接为LCD的背板提供驱动电流,提供了便利的电源管理方案。基于以上目的,本文设计了一种可应用于电源管理芯片的大电流、恒定增益、宽电源电压的CMOS运算放大器,输入级采用恒定跨导互补式差分输入结构,输出级采用带有米勒补偿的前馈AB类输出结构,使输入和输出摆幅都达到了轨对轨,最后,结合UMC 0.6um双多晶双金属BCD工艺进行了运放的版图设计。HSPICE的仿真结果表明,该放大器可以在4.5-8V的电源电压下稳定的工作,具有121dB的开环增益,18M的单位增益带宽,上升和下降的摆率分别为13.7V/us和14.2V/us,典型值为90dB的电源抑制比,以及60°的相位裕度,满足了电源管理芯片对放大器的性能参数的要求,具有比较重要的应用价值。
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