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IrO2薄膜具有导电性好，耐腐蚀能力强，并能有效的阻挡高温下元素间（O、Zr、Pb、Ti等）的扩散等特点，已成为高密度动态随机存储器（DRAMs）和非挥发性铁电随机存储器（FeRAMs）电极的优选材料。而且，作为pH电极材料，IrO2薄膜能够弥补传统玻璃电极存在的阻抗高、易破损、在高碱性情况下存在“钠误差”以及对100℃以上的溶液pH值不能有效测量的缺陷。 论文基于脉冲激光沉积（PLD）技术，设计了两种IrO2薄膜的制备方法（即通过先沉积Ir薄膜再后续氧化和在氧的气氛中，原位反应沉积IrO2薄膜），分别在Si（100）、SiO2／Si（100）以及石英玻璃衬底上制备IrO2薄膜。重点研究了氧分压、衬底温度、激光输出能量、靶-衬底间距等PLD工艺参数和后续退火对其结构和性能的影响，以得到高质量的IrO2薄膜，并基于其应用背景，对Si（100）上沉积的IrO2薄膜在高温低氧以及高于100℃的酸碱溶液中的稳定性进行了研究。 结果表明：在Si（100）上沉积的Ir薄膜表面粗糙度都低于1nm，对其在空气中、700～850℃范围内氧化后发现：除IrO2外，还有Ir存在。得到的IrO2薄膜表面粗糙度随氧化温度的升高逐渐增大；衬底材料对薄膜的表面结构影响较大，通过对衬底的预处理，可有效改善薄膜的表面结构，在750℃、SiO2／Si（100）上氧化的IrO2薄膜的表面粗糙度为3.7nm（1×1μm）。 以Ir为靶材，采用PLD在Si（100）上原位反应沉积IrO2薄膜的过程中，工艺参数对于薄膜的物相和结构影响很大。通过分析氧分压、衬底温度和激光输出能量得到了IrO2薄膜的最佳制备条件：氧分压20Pa、衬底温度500℃、激光输出能量140mJ。在此条件下沉积的IrO2薄膜沿（101）取向生长，厚度均匀，界面清晰，与硅衬底表面结合良好，其表面粗糙度为3.9nm，室温电阻率为41μΩ·cm。 对Si（100）上沉积的IrO2薄膜在600～750℃范围内退火后，IrO2薄膜的晶粒没有明显长大，但是颗粒与颗粒之间结合更紧密，显示出IrO2薄膜对温度良好的结构稳定性。适当的退火处理可以提高IrO2薄膜的导电性能，在750℃空气中退火30min后，其电阻率达到最小值37μΩ·cm。在25～500℃范围内，IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大，呈现出类似金属的导电特征。而且，退火以后，这种线性关系更明显，其电阻率也趋于稳定，显示出IrO2薄膜的导电性能随温度变化的稳定性。 通过对样品进行电阻率和Hall效应联合测量发现，在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型；但是，沉积温度较高（500℃）时或在更高温度退