本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随机存储器设计”的主题展开。传统的动态随机存取存储器(DRAM)单元由一个存储电容器和一个起开关作用的晶体管构成。随着器件尺寸的缩小,单元储存电容却不能过分降低,DRAM面临成本升高,性能变差的问题。我们根据省去DRAM单元中外部存储电容的思路,设计了一种基于隧穿场效应晶体管的新型DRAM单元。通过二维工艺以及器件模拟对新型DRAM单元进行了功能验证,研究了它的各种操作下的电流情况、读写速度、浮栅内的电势变化情况、干扰以及保持特性。通过在存储器单元结构中引进隧穿场效应晶体管,我们可以获得最快达到2ns的写入速度。同时该器件的操作电压相对较低。通过工艺流程以及器件结构优化,我们可以实现超过107的读取电流窗口。此外,器件的工艺和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)单元是相兼容的,更利于器件的集成应用。第二部分主要围绕“ZnO纳米线/Si异质结的制备及特性研究”的主题展开。近年来随着制备技术的进步,准一维结构的ZnO纳米结构表现出了优异的载流子迁移率性能。如果要将ZnO纳米结构应用到具体工艺生产中去,那么对于在Si衬底上Zn0纳米结构的生长方法以及特性研究就具有重要意义。本文中,我们首先研究了不同在Si衬底上生长ZnO籽品层的方法：裹液-覆盖法及原子层淀积法。在淀积了Zn0籽晶层之后,再通过水热法来生长Zn0的纳米线阵列。通过分析不同条件生长的籽晶层以及相对应生长的纳米线阵列的SEM和XRD结果,我们对不同的生长方法进行了比较。此外,我们还研究了籽晶层退火对纳米线性能的影响,发现在非晶籽晶层上生长的ZnO纳米线具有更好的取向性。通过对不同温度下的电流-电压测试结果进行分析,我们研究了n-Zn0纳米线/p-Si异质结结构的电学特性。通过对籽晶层工艺的优化以及其它工艺参数的良好控制,我们得到的异质结器件具有较高的电流开关比,在303K时可以达到2519。同时该异质结结构具有良好的击穿特性,反向击穿电压达到-33.5V。通过对测试结果进行参数提取并与同类型器件进行比较,说明该器件具有较高的载流子注入效率。