PLD法制备(001)取向氧化物电极及Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜研究

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钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)薄膜因具有优异的介电/铁电性能广泛应用于动态随机存储器、场效应晶体管、移相器等电子器件。在现阶段的研究中,钙钛矿型氧化物电极因其价格低廉、热稳定性好、与钛酸锶钡晶格匹配性好等优点受到广泛关注。镍酸镧(LaNiO3)薄膜是一种立方相结构的钙钛矿氧化物,其电学特性和金属相同,与同结构的功能薄膜材料之间具有较好的晶格匹配性,被认为是取代Au、Pt等贵金属电极的理想材料。钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-δ)是一种三层钙钛矿结构的超导氧化物材料,由于其特殊的低温性质和晶体结构常作为电极材料应用在铁磁、铁电、介电等功能薄膜上,特别是超导薄膜/钙钛矿氧化物功能薄膜异质结中存在的相互调制现象具有重要的应用前景。本文首先研究了脉冲激光沉积法制备LaNi03薄膜的相关工艺,通过调整相关参数在Si基板上实现了 LaNiO3薄膜的取向生长,最优工艺下得到的LaNiO3薄膜的室温方阻在30Ω/口以下。其次研究了脉冲激光沉积法制备YBa2Cu3O7 δ高温超导薄膜的相关工艺参数,在LaAlO3单晶基板上成功制备出了具有b轴取向的YBa2Cu307-δ超导薄膜,渗氧后薄膜的室温方阻约为70Ω/□。在Si/LaNiO3底电极基础之上又制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,主要研究了脉冲激光法中基片温度和沉积气压对LaNiO3/Ba0.5Sr0.5TiO3复合薄膜的结构及电学性能的影响,得到了在Si上制备LaNiC3/Ba0.5Sr0.5TiO3/LaNiO3复合薄膜的最佳温度和气压参数。最优参数下制备的介电薄膜调谐率可达50%。同时尝试在LaAIO3/YBa2Cu3O7-δ底电极上制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,探究了沉积气压和基片温度对复合薄膜面内面外取向的影响,为进一步制备超导/铁电复合薄膜提供思路。
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