科技的进步极大地推动了技术的发展，随着光学领域和微电子学领域及其相关技术的发展，对所需材料表面质量的要求越来越高，超光滑表面的加工技术得到了广泛关注。微晶玻璃以其优良的特性应用于电子、微电子、光电子领域，主要用于制作第二代计算机硬盘、激光陀螺仪以及具有光电、热电、声光、磁光等功能的元器件，是飞机控制、惯性导航、制导控制等光学元件的基础材料，其表面超精密加工技术更加复杂。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是材料表面超精密加工的最佳方法，为了获得良好的表面质量，本文将CMP技术应用于微晶玻璃的超精密加工。在微晶玻璃晶片的实际生产中往往存在加工效率低、去除速率不高、速率难以控制等问题。 因此本文主要针对微晶玻璃CMP的去除速率，建立了微晶玻璃CMP模型，并对微晶玻璃晶片化学机械抛光过程进行试验研究和理论分析。同时介绍了微晶玻璃化学机械抛光技术，系统分析了影响CMP效果的多种因素，通过对微晶玻璃性质的分析，从理论上确定微晶玻璃晶片CMP的技术方案，配置了高质有效的抛光液，深入的分析讨论各种影响微晶玻璃抛光工艺过程的性能参数，总结出了最佳的压力、流量、转速等工艺条件，获得了使去除速率取得最佳时各抛光液成分的浓度。同时，研究了SiO2/CeO2 复合磨料抛光液对微晶玻璃去除速率和表面质量的影响，获得了完美的表面粗糙度和高的去除速率。