随着电子、电器行业的进步,对厚膜电路要求不断提高,传统厚膜电路制备工艺因其在制备精度、柔性化程度以及制备成本等方面的局限,而逐渐成为其发展的主要障碍。为了克服上述局限与不足,作者所在实验室提出了一种厚膜电路制备的新工艺——微喷和微喷/激光复合直写导体技术,并在国家自然科学基金和“863”高技术发展研究计划的资助下对该技术作了系统研究,主要结果如下:详细研究了工艺参数对直写导体线宽的影响规律。结果表明,施加气压对微喷直写的电子浆料层宽度有着重要的影响;施加气压过小,浆料雾化不充分,导致形成的浆料层不连续;施加气压过大,多余气体将形成的浆料层吹散,导致浆料层的精细度和厚度变差;基材在喷嘴焦点处直写获得的浆料层的宽度最小,正离焦或负离焦都将导致浆料层宽度的增加;激光处理的作用是细化微喷直写的浆料图形并将其初步固化到基材上,激光光束质量的优劣和基材本身的性质影响了激光处理后所得导体宽度的大小;后续高温烧结工艺有助于提高导体与基材的结合强度和导体本身的电学性能。文章最后对微喷/激光复合直写导体技术制备的导体的相关性能作了系统的研究。结果表明,利用该技术直写的导体最小宽度可达40μm;制备的银导体的电阻率在10^-6Ω·cm量级,与银块本身的电阻率(1.6×10^-6Ω·cm)相当;导体与基材的结合强度在MPa量级,完全满足工业应用的要求。微喷/激光复合直写导体技术是一种新兴的电路制备工艺,利用该工艺可在不同类型基材上实现高精度电路图形的快速制造。可以预测,在未来的电路制备领域,微喷/激光复合直写技术必能占有其重要的一席之地。