深亚微米SOI器件特性的研究及其模型模拟

来源 :北京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Elf_nastia

【摘要】

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SOI(Silicon-Insulator)技术作为一种全介质隔离技术有着体硅技术不可比拟的优点,它在低压、低功耗、高频IC领域占据独特的优势,这使得它有可能在不久的将来取代体硅技术成

【作者】

：

汪红梅

【机构】

：

北京大学

【出处】

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北京大学

【发表日期】

：

1999年期

【关键词】

：

SOI 器件特性器件模型数值模拟

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SOI(Silicon-Insulator)技术作为一种全介质隔离技术有着体硅技术不可比拟的优点,它在低压、低功耗、高频IC领域占据独特的优势,这使得它有可能在不久的将来取代体硅技术成为IC产业的主导技术.该论文从深亚微米CMOS/SOI器件、电路制备,器件特性研究及模型模拟几个领域对SOI技术做了深入细致的研究.

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