在纳米级工艺下，芯片制造时的工艺尺寸越来越小，这会对整个芯片的设计带来极大的挑战，原因在于生产器件时的版图效应对器件最终性能的影响大大提高。如今主流的设计方法以避开这些版图效应为主，而事实上在纳米工艺下，合理的利用这些版图效应已经能够带来越来越多的实际意义。本文的主要目标是利用版图效应来提高各种类型标准单元库器件的PPA（功率、功耗、面积）指标。通过研究标准单元库器件在使用时的具体用途，而将单元库器件分类为核心器件和辅助器件，对于不同类型器件的工作特点进行针对性的设计和优化能够最大化的提高单元库在进行整体评估时的PPA指标。与传统设计方法所不同的是，本文创新性的采用多OD并联的结构来获得更高的电流密度，同时通过添加非工作MOS来增加OD的连续性以此利用LOD效应提升性能，对于重要MOS进行重新的排列来获得最佳的应力大小。这些创新型的设计和优化主要是针对版图效应来进行的。在深纳米工艺下，传统的单元库设计方法会因为器件的版图效应而在性能上产生极大的抑制，本文则采用全新的设计思路来针对版图效应进行单元库器件的设计。本文是以TSMC40nm工艺为基础所进行设计展开的，通过针对性的优化，最终能够在单元库器件的评估中平均有13%的速度提升，个别器件更是在延时上有20%以上的下降。而这仅仅增加了少部分器件的面积，多数器件也并不额外增加P&R面积，即整体只有1%以内的面积增大。同时在功耗方面能够保持在1%以内的动态功耗和5%以内的静态功耗的增加，综合来讲能够有7%以上PPA指标的改善。