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半导体桥(SCB)火工品具有作用迅速、安全性高、可靠性高等优点,在武器系统中应用越来越广泛。但是面对愈发严酷的电磁环境,对于武器系统而言,仅仅依靠SCB自身的安全性能还不够,还需对SCB火工品进行电磁防护。本文提出使用肖特基二极管对SCB进行静电防护,利用PSpice电路仿真软件建立了SCB电路模型,研究了并联肖特基二极管防护后对SCB发火性能的影响,以及防护后SCB的抗静电性能,并进行了相关的实验验证,根据仿真与实验的结果,利用Silvaco TCAD软件仿真设计了集成背靠背肖特基二极管的SCB芯片,得到的结论如下:(1)根据SCB电阻随能量变化的关系,利用PSpice电路仿真软件建立了SCB电路模型。在电容放电(22μF,16V)的条件下,对SCB电容发火进行了模拟与实验研究,对比其电爆特性曲线,发现第一个峰基本重合,第二个峰有一定偏差,SCB爆发时间均在5μs左右,对比的结果表明该模型的准确性较高。(2)并联肖特基二极管防护后,SCB电容发火实验的结果与模拟得到的结果基本一致。当肖特基二极管的击穿电压较小时(6V左右),SCB无法正常发火;击穿电压提高到9V左右时,SCB能够发火,但是有一定的发火延迟;击穿电压提高到12V以上时,SCB能够正常发火,发火性能不会受到影响。(3)静电放电仿真结果表明:在500pF,500Ω条件下,击穿电压12V的肖特基二极管能够防护50kV以下的静电放电,击穿电压15V的肖特基二极管能够防护35kV以下的静电放电。(4)静电放电实验结果表明:在美军标(25kV,500pF,500Ω)条件下,肖特基二极管防护后,SCB桥区未烧蚀,SCB的发火性能未受到影响。肖特基二极管防护后的SCB具有较好的抗静电性能。(5)通过ATHENA仿真了SCB以及肖特基二极管的结构,仿真得到半导体桥的电阻约为1.06Ω,仿真得到的肖特基二极管的击穿电压在12V,与预期值较为接近,基于CMOS工艺,设计了制作与生产集成背靠背肖特基二极管SCB芯片的工艺流程。