【摘 要】
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目前在化合物半导体GaAs清洗工艺中广泛使用A.Y.CHO提出的硫酸清洗工艺,但是在硫酸清洗中存在许多不尽如人意的地方,在不同的清洗条件下会产生相当不同的结果,不恰当的清洗会
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目前在化合物半导体GaAs清洗工艺中广泛使用A.Y.CHO提出的硫酸清洗工艺,但是在硫酸清洗中存在许多不尽如人意的地方,在不同的清洗条件下会产生相当不同的结果,不恰当的清洗会使表面严重偏离化学配比,并且造成表面的粗糙化,人们对于清洗过程中表面上发生的变化至今还没有清楚的认识,因此有必要通过表面分析继续探讨不同的清洗条件下硫酸清洗对表面的影响寻找最佳的清洗方式,该文就研究了腐蚀条件对表面产生的影响,对传统的酸碱清洗技术进行了改进.
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