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半导体激光器由于其体积小、重量轻、阈值电流低、电光转换效率高,并且可以采用注入电流的方式来泵浦等优点,因此,被广泛应用于激光泵浦、先进制造、光纤通讯、数据存储、科研和医疗美容等领域。808nm高功率半导体激光器是全固态激光器(Nd:YAG)最理想的泵浦源。随着激光技术的不断发展,其对半导体激光泵浦源的要求也越来越高,主要表现在以下几个方面:(1)提高其在连续或准连续工作模式下的光功率,满足日益增长的功率需求;(2)提高电光转换效率,降低激光系统的功耗和体积以及以节约使用成本;(3)提高光束质量,满足光纤耦合的应用需求;(4)提高可靠性以及工作寿命,以应付严苛的工作环境;因此本文主要围绕着808nm半导体激光器的高功率和高效率开展工作,研究了808nm半导体激光器的芯片基本原理、制备工艺和测试分析等。主要研究内容如下:1.本文简单介绍了半导体激光器的发展现状、基本原理及其优点。并着重对808nm高功率半导体激光器国内外研究现状及其应用领域进行了介绍。2.介绍了半导体激光器的基本特性,包括阈值电流密度、输出功率、电光转换效率、内量子效率、内损耗、腔面反射率等参数。影响半导体激光器输出功率的主要因素也进行了分析,重点并对COMD发生的机理进行了阐述。3.本文介绍了808nm半导体激光器芯片的基本制备工艺,如外延生长、芯片解理镀膜、芯片封装,并着重对808nm半导体激光芯片的镀膜工艺进行了介绍,本文采用了一种特殊腔面处理技术,实现了 808nm半导体激光器件的高输出功率,1cm808n巴条的准连续(100us/10Hz)输出功率超过1017W,且未发生端面的光学灾变损伤。4.基于以上特殊的腔面处理技术,通过外延、光刻、腐蚀、淀积等工艺,同时制备了腔长分别为2mm、4mm和条宽分别为96μm、150μm、190μm的半导体激光器单管芯片,均取得了很好的测试性能结果。5.自主搭建了高功率半导体激光器测试分析平台,进行了功率电流特性测试以及光谱测试。微通道冷却(MCC)封装的巴条器件,在准连续工作模式(QCW)下,脉冲宽度400us,重复频率200Hz,峰值功率达到804.88W,阈值电流27.7A,斜率效率1.14W/A,未发生COMD,中心波长为814.67nm,光谱半峰宽FWHM为4.16nm。微通道冷却(MCC)封装的巴条器件,在连续工作模式(CW)下最高功率达到106W,阈值电流为14.89A,斜率效率为1.42W/A,中心波长为809.42nm，FWHM为1.71nm。