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薄膜场效应晶体管(TFT)是各种集成电路中最基本的元器件。相比于传统TFT,柔性TFT器件以其廉价、质量轻、可弯曲、功耗低、能大面积生产等优点成为研究的热点。经过近几年的努力,柔性TFT的性能已经得到了显著提升,且在柔性显示、电子打印、传感器、大规模集成电路和数码通讯等领域有了长足的发展。然而柔性衬底粗糙度大,柔性器件制备工艺复杂,柔性TFT性能稳定性差等问题需要解决。本文通过旋涂工艺制备出平整度较高的柔性衬底,使用真空蒸发沉积和磁控溅射沉积镀膜工艺,在柔性衬底上制备出柔性TFT器件。主要研究了柔性衬底制备工艺,介电层和退火对器件电学性能的影响。主要内容如下:首先,为了解决柔性衬底粗糙度大的问题,制备出粗糙度小的柔性衬底材料。采用聚酰亚胺(polyimide,PI)溶液为原料,用旋涂的工艺,在玻璃上制备出与柔性器件兼容的聚二甲基硅氧烷(PDMS)缓冲层,在缓冲层上旋涂聚酰亚胺溶液,经过退火处理,制备出了柔性聚酰亚胺衬底。研究了旋涂速率与聚酰亚胺薄膜厚度的关系,确定较佳旋涂速率为3000r/min,厚度为5.4um,并对衬底的断面形貌和表面粗糙度进行了表征,粗糙度(RMS)为 0.5nm。其次,利用真空蒸发沉积镀膜工艺制备出型柔性Dinaphtho[2,3-b:2’,3’-f]thieno[3,2-b]thiophene(DNTT)小分子TFT器件。通过对比氧化铝介电层与氧化铝和磷酸碳十四烷分子自组装单层膜(SAM)复合介电层的粗糙度以及对柔性器件的性能影响,证明复合介电层有更小的粗糙度,且对柔性器件性能有一定的提升。通过增加氧化铝的厚度,研究了不同介电层厚度对器件的性能影响,确定较厚的复合介电层能有效改善器件性能。研究了柔性有机场效应晶体管(OFET)退火后的性能变化,通过将柔性器件在N2中退火处理,确定了较佳退火温度为70℃左右,器件迁移率达到0.99cm2V-1s-1。最后,为了制备高性能的柔性有机-无极异质结TFT器件,我们用磁控溅射沉积镀膜工艺,在常温下制备了柔性铟镓锌氧化物(α-IGZO)薄膜晶体管,然后将α-IGZO与有机小分子结合,采用垂直结构,不进行任何界面修饰,将DNTT小分子直接蒸镀在α-IGZO薄膜上,制备了垂直结构的高性能柔性有机-无极异质结TFT。器件电子与空穴的迁移率分别为3.50 cm2V-1S-1和0.36 cm2V-1s-1。对沉积的α-IGZO表面的形貌进行了表征,测试了柔性α-IGZO/DNTT异质结器件在电子增强和空穴增强模式下载流子的输运特性,并解释了其载流子输运机理。