【摘 要】
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宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料由于其本身具有各种优异特性,使得在应用于高温、高频、高功率器件方面具有特殊的地位.SiC是唯一可以氧化生长成SiO的化合物半导体材料,这使得它
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宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料由于其本身具有各种优异特性,使得在应用于高温、高频、高功率器件方面具有特殊的地位.SiC是唯一可以氧化生长成SiO<,2>的化合物半导体材料,这使得它可以运用Si平面工艺条件进行SiC器件的制造,特别制作MOS器件方面.由于其氧化层的质量还不能达到工业生产的要求,目前关于SiC表面的氧化层质量以及界面态特性仍然需要大量研究.该文运用高频C-V、慢正电子淹没和红外反射谱的方法,分别研究SiO<,2>/SiC系统的界面特性、表面氧化层缺陷情况和氧化层物理特性.
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